Tháng 9 năm 2011, phát triển thành công dây chuyền sản xuất chíp DDR4
DRAM 2GB bằng công nghệ 20 nano.
Tháng 4 năm 2012, với sự kiện sản xuất đại trà chíp DDR4 DRAM 4GB
trên dây chuyền công nghệ 20 nano, Samsung đã độc chiếm vị trí số 1 thế
giới về chip bán dẫn, gia tăng cách biệt về trình độ kỹ thuật với các đối thủ
cạnh tranh.
Một trong những lý do khiến Samsung trở thành doanh nghiệp toàn cầu
trong công nghệ bán dẫn là, khi họ tiến hành sản xuất đại trà 4 Mega
DRAM, mà chưa một công ty nào trên thế giới lựa chọn và sở hữu các cơ
sở kỹ thuật nền tảng về phương thức sản xuất của công nghệ này. Lee Kun
Hee đã nhanh hơn một bước và sớm có biện pháp đề phòng vấp phải sai
lầm chí mạng giống như các công ty đi trước.
Từ tháng 10 năm 1986, Samsung Electronics bắt tay vào phát triển công
nghệ 4 Mega DRAM. Sau khi phát triển thành công công nghệ này, một vấn
đề mới đặt ra tiếp tục đẩy Samsung ra giữa ngã ba đường khi phải lựa chọn
sản xuất theo phương thức nào.
Có thể giải thích một cách đơn giản như sau: Trong trường hợp nâng cao
mật độ lưu trữ của chíp bán dẫn lên tới 1 Mega DRAM thì có thể thả cell
trên bề mặt chíp, nhưng đối với dung lượng lớn thì từ 4 Mega DRAM trở
đi, cell được xếp chồng lên tầng hai, tầng ba, hoặc ngược lại đào sâu xuống
nền và xếp chồng thành tầng một, tầng hai dưới bề mặt. Những cách làm
này giúp xử lý toàn bộ dung lượng ngày càng lớn hơn của mật độ lưu trữ.
